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WD 推出全新iNAND嵌入式快闪记忆体 (EFD) 产品

2020-06-09


WD 推出全新iNAND嵌入式快闪记忆体 (EFD) 产品系列,让智慧型手机使用者能够尽情地享受现今由数据驱动的各种应用与体验。新推出的iNANDR 8521和iNANDR 7550嵌入式快闪记忆体,採用Western Digital 64层3D NAND技术以及先进的UFS与e.MMC介面技术,提供出色的数据效能与庞大的储存容量。用于智慧型手机与轻薄运算装置时,这两款产品能加速实现以数据为中心的各式应用需求,包括扩增实境 (AR)、高解析视讯的撷取、丰富的社群媒体体验,以及近期崛起的人工智慧 (artificial intelligence, AI) 与物联网 (IoT) 「边际」(edge) 体验。

WD 推出全新iNAND嵌入式快闪记忆体 (EFD) 产品

数据的数量、速度种类与价值,持续在大数据 (Big Data)、快数据 (Fast Data) 与个人数据之中倍数成长并持续演化,而全球各地为数众多的消费者,都将透过智慧型手机体验这一波数据汇流风潮。

Counterpoint Research装置及生态系统研究总监 (research director of devices and ecosystems) Neil Shah表示:「我们估计在2018年底,全球智慧型手机平均储存容量将攀升到60GB 以上,以支援装置中比重越来越高的丰富多媒体内容,以及人工智慧、扩增实境等各种由数据驱动的体验。这代表先进3D NAND嵌入式快闪储存解决方案是大势所趋,而这些丰富的体验也将被提升到更高的层次。」

WD 推出全新iNAND嵌入式快闪记忆体 (EFD) 产品

Western Digital嵌入式与整合解决方案部门副总裁Christopher Bergey指出:「除了360度影片及多镜头相机,行动应用程式也开始採用人工智慧技术提供更佳的体验,推动智慧型手机数据为中心的本质至全新境界。我们创新的iNAND解决方案,为现今密集的行动应用程式及体验,打造出最合适的数据环境,并支援其蓬勃发展。结合Western Digital领先业界的X3 3D NAND技术,以及具备应用感知(application-aware)的SmartSLC技术的全面提升,得以提供用户最智能及卓越效能的iNAND装置。这些iNAND产品系列的新成员,让我们能够持续满足全球行动市场不断增长的行动数据需求。」

``iNAND 8521嵌入式快闪记忆体 专为旗舰行动装置设计 展现未来5G网路的效能
iNAND 8521嵌入式快闪记忆体专为对数据应用有强度需求的使用者设计,採用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技术,与前一代针对旗舰智慧型手机所推出的iNAND 7232嵌入式快闪记忆体相比,连续写入速度最高为其两倍1,随机写入速度最高可达10倍2。iNAND 8521能快速且智能地回应使用者的应用程式效能需求,无论操作虚拟实境游戏或下载高解析电影的速度皆如虎添翼。iNAND 8521嵌入式快闪记忆体的数据传输速度卓越出众,让行动用户能够充分利用最新Wi-Fi速度,并在电信服务供应商提供5G网路时可以使用网路增强技术。

``iNAND 7550专为轻便、高容量主流智慧型手机所设计
iNAND 7550嵌入式快闪记忆体让行动装置製造商生产符合成本效益的智慧型手机与运算装置,提供充足的储存空间,满足消费者持续增加的数据需求,并同时提供快速的应用程式体验。其採用e.MMC 5.1规格,是Western Digital採用e.MMC介面所推出的众多产品中效能最高的iNAND嵌入式快闪记忆体,连续写入效能最高260 MB/s,随机读/写效能则分别为20K IOPS和15K IOPS3,让iNAND 7550得以增强开机与应用程式开启时间。

``上市时间与更多产品特色
以SanDiskR品牌推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快闪记忆体是iNAND系列的生力军,10多年来该系列已备受全球各大智慧型手机与平板製造商信赖。Western Digital目前已针对iNAND 8521与iNAND 7550储存解决方案为OEM客户提供样本,容量最高为256GB。



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